費米能階計算器

根據載子濃度與有效態密度,估算非簡併半導體的費米能階。

計算半導體費米能階
本計算器對傳導帶附近的電子採用馬克士威–波茲曼近似。

關於半導體費米能階

費米能階是電子的化學勢,可用來判斷材料在熱平衡時電子態的佔據情形。在半導體中,它通常位於能隙內,但重摻雜可能使其移入能帶。費米能階相對於傳導帶底與價帶頂的位置,決定平衡電子和電洞濃度,是理解接面、接觸、導電率及元件行為的核心。 對非簡併 n 型半導體而言,電子濃度可近似為傳導帶有效態密度乘上一個指數項,其中包含傳導帶邊緣與費米能階的能量差。整理後,費米能階等於傳導帶邊緣能量減去熱能乘以有效態密度與電子濃度比值的自然對數。計算器使用單位為電子伏特每克耳文的波茲曼常數,因此所有輸出能量皆以電子伏特表示。 當費米能階低於傳導帶邊緣數個熱能時,近似效果最佳。若電子濃度接近或超過有效態密度,就需要費米–狄拉克積分,簡單的馬克士威–波茲曼式會失去準確性。有效態密度也取決於溫度與有效質量,應在與載子濃度相同的溫度下求值。濃度單位必須一致,但只要體積單位相同,就會在比值中相消。 本計算器將輸入的傳導帶能量視為使用者提供的參考。能量零點可自行選定,因此費米能階數值只有相對於能帶邊緣或其他明確參考時才有意義。它假設熱平衡、材料均勻且電子濃度已知,不會由摻雜濃度求解電中性條件,也不處理不完全游離、能隙窄化、空間靜電勢或非平衡準費米能階。適合教學與初步半導體分析;若涉及溫度相關摻雜、簡併、介面、光照或外加偏壓,應採用電中性模型或元件模型。請始終將計算的能量差與熱能比較,判斷非簡併假設是否自洽。

費米能階範例

數值採用非簡併傳導帶近似。

溫度與濃度比Ec 減 Ef費米能階
300 K,Nc/n = 2,800,Ec = 1.12 eV0.205213 eV0.914787 eV
300 K,Nc/n = 10,Ec = 1.00 eV0.059526 eV0.940474 eV
400 K,Nc/n = 100,Ec = 1.10 eV0.158748 eV0.941252 eV

如何計算費米能階

  1. 輸入相對於所選能量參考的傳導帶邊緣能量。
  2. 輸入以克耳文表示的半導體絕對溫度。
  3. 以一致單位輸入電子濃度與有效態密度。
  4. 選取「計算費米能階」,將能帶邊緣能量差與熱能比較。

常見問題

費米能階代表什麼?

它是平衡時電子的化學勢。依費米–狄拉克分布,該能量處的電子態佔據機率為二分之一。

為什麼費米能階低於傳導帶?

在非簡併半導體中,傳導帶態的佔據程度很低。電子濃度越低,費米能階就越低於傳導帶邊緣。

這個近似何時會不準確?

當半導體進入簡併狀態,費米能階接近或進入能帶時,近似便不準確。此時請使用費米–狄拉克統計及適當的材料模型。

濃度可以使用 cm⁻³ 以外的單位嗎?

可以,只要電子濃度與有效態密度使用相同體積單位。兩者比值無因次,一致的單位會相消。

計算器可以處理電洞嗎?

不行。此形式使用傳導帶電子關係式。對應的電洞計算需採用價帶有效態密度與電洞濃度。