高斯定律計算器
依包圍的電荷計算電通量與均勻法向電場。
高斯定律
輸入包圍的電荷與高斯面面積,計算對稱電場。
關於高斯定律
高斯定律將穿過封閉曲面的淨電通量,與該曲面包圍的總電荷連結。在真空中,定律為 Φ = Q/ε₀,其中 Φ 是淨電通量,Q 是包圍的電荷,ε₀ 是真空電容率。本計算器採用 ε₀ = 8.8541878128 × 10⁻¹² farads per meter,並將輸入電荷由奈庫侖換算為庫侖。
電通量衡量電場沿法向穿過表面的程度,其 SI 單位為牛頓平方公尺每庫侖。總電通量僅取決於包圍的淨電荷,而與曲面的確切形狀或外部電荷位置無關。外部電荷能在曲面上產生電場,但其電場線進入與離開的淨量相等,因此對封閉曲面積分的淨貢獻為零。
計算器也會以總通量除以輸入面積,提供均勻法向電場。只有當對稱性使高斯面上的電場大小恆定,而且電場垂直於表面時,第二項結果才有效。常見例子包括以孤立點電荷為中心的球面、正確處理端部效應時包圍足夠長線電荷的柱面,以及穿過理想無限帶電平面的薄柱形高斯面。對任意電荷分布或曲面,高斯定律依然成立,但通常不能只用簡單除法求得場強。
包圍正電荷會產生向外的正通量,負電荷則產生向內的負通量。即使電荷為負,表面積仍必須為正。本工具可用於靜電學課程、對稱場核對及快速數量級估算,假設介質為真空或可近似為真空的空氣。處理介電材料時,須注意電容率、極化,以及題目使用的是電場還是電位移。複雜幾何通常需要直接積分或數值電場分析,不能以均勻場估算取代。
高斯定律範例
| 輸入 | 通量與電場 | 說明 |
|---|---|---|
| Q = 1 nC; A = 0.5 m² | 112.9409 N·m²/C; 225.8818 N/C | 正電荷產生向外的淨通量。 |
| Q = 5 nC; A = 2 m² | 564.7045 N·m²/C; 282.3523 N/C | 較大的表面使均勻電場分布更分散。 |
| Q = -2 nC; A = 1 m² | -225.8818 N·m²/C; -225.8818 N/C | 負號表示通量與電場朝內。 |
如何使用高斯定律
- 將封閉高斯面內的所有電荷相加,得到包圍的淨電荷。
- 以奈庫侖輸入電荷,保留正號或負號。
- 以平方公尺輸入封閉曲面的面積。
- 選取「計算電通量」,並僅在對稱性支持均勻法向電場時使用電場結果。
常見問題
曲面外的電荷會影響電通量嗎?
外部電荷會影響曲面各點的電場。但因電場線同時進入與離開,其對封閉曲面通量的淨貢獻為零。
包圍的電荷可以是負值嗎?
可以,負的包圍電荷會產生負淨通量。此符號表示相對於曲面向外法線,淨電場方向朝內。
何時可以用通量除以面積求電場?
這需要電場大小恆定,且垂直於所選表面。這種簡化來自球對稱、柱對稱或平面對稱,並非單靠高斯定律。
什麼是高斯面?
高斯面是為分析電通量而選取的假想封閉曲面。實用的高斯面應符合電荷分布的對稱性。
封閉曲面的形狀會改變總通量嗎?
不會,總淨通量由包圍的電荷決定,與封閉曲面形狀無關。但形狀會影響電場與局部通量密度在曲面上的分布。